Sonntag, 16. Januar 2011

Micron rüstet sich für Preiskampf

Wie die EE-Times berichtet, unternimmt der amerikanische Speicherproduzent Micron derzeit grosse Anstrengungen um seine beiden Hauptproduktionslinien, DRAM- und NAND-Speicher konkurrenzfähig zu halten.
Die Optimierung der 25nm NAND-Produktion läuft derzeit auf Hochtouren. Microns Retailsparte Crucial hat dereinst auch schon ein neues Produkt angekündigt, welches von den neuen Modulen Gebrauch macht. Die C400 Solid State Disk (SSD) soll den performanten Vorgänger leistungsmässig um bis zu 40% übertreffen.

Auch im DRAM-Bereich ist man nicht untätig. Hier werden bereits erfolgreich 42nm Chips hergestellt. Aufgrund der fallenden Preise ist das sehr zu begrüssen, erhöht sich doch die Wettbewerbsfähigkeit dadurch um ein Vielfaches.

In den nächsten 12-18 Monaten will man dann Produkte in grossen Stückzahlen liefern, die auf 3D-ICs bzw. einer "thru-silicon vias (TSV)" Verdrahtungstechnik basieren, wie sie Samsung bereits anbietet. Micron hätte hier bereits früher einsteigen sollen, denn gerade diese 3D-Module versprechen erhebliche Kostenreduktionen im Vergleich zu bisherigen Stacked-Chips. Durch die funktionale Anordnung werden Chips möglich, die kleiner und bis zu 40% stromsparender sind.

Im letzten Jahr wurden alle Fabriken von Micron erfolgreich auf 12-Zoll Wafer (300mm) migriert. Eine Umstellung auf 18-Zoll Wafer ist für das Unternehmen momentan keine Option, müsste man doch alle Maschinen/Tools neu einkaufen und evaluieren, was mit erheblichen Kosten und Risiken verbunden wäre. Theoretisch könnte eine erfolgreiche Umstellung letztlich in einem Kostenvorteil im Faktor 2 bis 2.5 münden. However, Intel, Samsung und TSMC haben eine Migration für das Jahr 2012 angekündigt.

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